Ansys SIwave für die Analyse von Signalintegrität, Leistungsintegrität und EMV von Leiterplatten und IC-Gehäusen
SIwave ist die führende Simulationslösung zur Berechnung von Resonanzen, Reflexionen, Intertrace-Kopplung, simultanem Schaltrauschen, Power/Ground Bounce, Gleichspannungs-/Stromverteilungen sowie Nah- und Fernfeldabstrahlungsmustern. Mit SIwave können auf einfache Weise ECAD-Geometrien importiert werden um virtuelle Modelle zu generieren und schnelle und präzise elektromagnetische Simulationen für Printed Circuit Boards (PCBs) und IC Packages durchzuführen.
Führende Unternehmen auf der ganzen Welt vertrauen Ansys SIwave, wenn es um genaue, leistungsstarke und schnelle Leistungsintegritäts-, Signalintegritäts- und EMV/EMI-Analysen von komplexen elektronischen Gehäusen und Leiterplatten geht.
Um die Modellerstellung zu beschleunigen, importiert SIwave ECAD-Dateien von bekannten ECAD-Anbietern:
- Altium
- Autodesk
- Cadence
- Mentor Graphics
- Zuken und
- KiCAD
Andere Formate wie GDSII, ODB++ und IPC2581 werden ebenfalls unterstützt, so dass komplette ECAD-Systeme schnell aufgebaut werden können. Die Importmöglichkeiten von SIwave erlauben eine kurzfristige Durchführung von aussagekräftigen Analysen während des Designprozesses mit dem Ziel, die richtige Produktleistung für moderne elektronische Gehäuse und Leiterplatten sicherzustellen. Zur Modellierung von kompletten Systemen überträgt SIwave die Daten nahtlos an weitere verfügbare Physik-Solver wie Ansys Icepak für den thermischen Entwurf und Ansys Mechanical für die Strukturanalyse.
SIwave ermöglicht die Untersuchung und Analyse der Qualität und Integrität elektrischer Signale, die sich durch elektronische Systeme oder Leiterplatten ausbreiten. So lassen sich Probleme wie Signalverschlechterung, Reflexion, Übersprechen und Timing-Verletzungen frühzeitig erkennen und minimieren. Das spart aufwendige Tests und Protoypen sowie Zeit und Kosten in der frühen Designphase.
Die Verwendung der verschiedenen elektromagnetischen Simulationsoptionen von SIwave, wie z.B. Resonanzmodus, induzierte Spannung, Nah- und Fernfeld, hilft dabei, EMV/EMI Fragestellungen zu untersuchen und näher zu beleuchten. Durch die Nutzung der EMV/EMI-Fähigkeiten in SIwave erhalten Entwickler kurzfristig Einblicke in das Design und erkennen spezifische Schwachstellen, ohne eine detaillierte Analyse mit Schaltungssimulation, IBIS-Modellen usw. durchführen zu müssen.
Induzierte Spannung (Störanfälligkeit)
- Modelliert eine auf die Leiterplatte einfallende ebene Welle und analysiert die an den Anschlussstellen induzierten Spannungen zur weiteren Untersuchung.
Resonante Modi
- Eine EM-basierte Fähigkeit von SIwave, die den Resonanzmodus von Stromversorgungs- und Masseflächen löst.
- Resonanzmoden zeigen potenzielle Schwachstellen einer Leiterplatte oder eines Gehäuses auf.
Nah- und Fernfeldsimulation zur Vorhersage von EMV/EMI
- SIwave erstellt S-Parameter-Modelle der Leiterplatte, konvertiert Ströme und Spannungen in Randbedinungen im Frequenzbereich, welche dann für eine nähere Analyse genutzt werden können.
